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Acabado FIB de bajo kV guiado por SEM para análisis de fallas de semiconductores de vanguardia

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Únase a nosotros para descubrir cómo el nuevo ZEISS Crossbeam 750, con su capacidad de ver mientras fresa, ofrece precisión y claridad, en todo momento, para los exigentes flujos de trabajo FIB-SEM. Diseñado para la preparación de laminillas TEM, tomografía, nanofabricación avanzada y extracción lista para APT extremadamente desafiantes, Crossbeam 750 combina una nueva lente objetivo Gemini 4 SEM, un doble deflector y un generador de escaneo de próxima generación para elevar tanto la calidad de la imagen como la confianza del proceso. Aprenderá cómo una mejor resolución y una mejor relación señal-ruido se traducen en más detalles de la imagen y tiempos de adquisición más cortos, mientras que el rendimiento FIB de bajo kV permite una preparación de laminillas más precisa.

Demostraremos Mill + SEM de alto rango dinámico (HDR), un modo de escaneo SEM/FIB entrelazado que suprime el fondo generado por FIB. Esto permite una retroalimentación visual clara e inmediata, incluso cuando se mueve el patrón FIB en vivo durante el fresado. El resultado: evaluación final confiable con fresado FIB ininterrumpido y superficies impecables de grado metrológico con el menor daño posible a la muestra. 

Esta sesión es ideal para analistas de fallas de semiconductores, equipos de rendimiento y científicos de materiales que buscan tiempos más rápidos para TEM, mayor éxito en el primer paso y resultados consistentes a bajo kV. Vea cómo Crossbeam 750 le permite tomar decisiones más tempranas sobre la parada del fresado, reducir el retrabajo y planificar de manera confiable el tiempo de respuesta, para que pueda pasar de la muestra a la información con confianza.

Publicado originalmente en espectro.ieee.org el 21 de mayo de 2026.
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